삼성전자가 세계최초 고대역폭메모리(HBM)4(6세대) 양산에 이어 HBM4E(7세대)와 차세대 D램 개발에서도 가시적인 성과를 냄 송재혁 삼성전자 최고기술책임자(CTO)겸 반도체연구소장은 최근 내부 경영현황설명회에서 HBM4E 신뢰성 테스트 수율이 70% 이상수준까지 올라왔으며, 차세대 10나노급 7세대(D1d) D램 공정도 경쟁사 대비 우위를 확보했다고 밝혔다. 이를 바탕으로 삼성전자는 차세대 AI 메모리 경쟁력 강화에더욱 속도를 낼 전망
7월 1일 반도체 업계에 따르면 송 CTO는 지난 6월 30일 열린 디바이스솔루션(DS)부문 내부 경영현황설명회에서 HBM4E의 신뢰성 테스트 수율이 70% 이상 수준까지 올라왔다고 밝힘 업계에서는 통상 수율이 80% 이상이면 공정이 안정화된 성숙 수율 단계로 평가한다. HBM4E가 아직 신뢰성 테스트 단계라는 점을 고려 하면 70% 이상 수준은 개발이 안정권에 진입 평가
삼성전자는 올해 2월 HBM4를 업계 최초양산 출하한데 이어 지난 5월29일 HBM4E 12단 제품의 세부 기술 사양을 공개하고 주요 고객사에 샘플을 출하. HBM4E는 엔비디아가 하반기 출시할 AI 가속기 베라 루빈에 장착될 HBM4의 후속 제품이고, HBM4E는 엔비디아가 내년 출시할 예정인 차세대 AI 가속기 베라루빈 울트라 등에 탑재될예정. 업계에서는 주요 고객사 대상 샘플 평가가 진행 되면서 양산을 위한 개발도 순조롭게 진행되고 있는 것으로 보임