금융

삼성전자가 10나노급 6세대 D램 웨이퍼 성능 실험에서 콜드 테스트 50%, 핫 테스트 60~70% 수율을 달성했고,
지난해 30%에 못 미쳤던 수율에서 상당한 진전이고,
전영현 디바이스솔루션(DS) 부문장 부회장이 지난해 복귀 후 과감하게 추진한 ‘설계 변경’ 전략이 성과를 거둔 것입니다.
기존 모델보다 칩 크기를 키우고 예비 소자 수를 늘린 덕에 안정성이 높아졌고,
삼성전자는 연내 양산을 목표로 6세대 D램 후속 테스트를 진행할 계획입니다.
차세대 D램 개발 과정이 순조롭게 진행되면서 HBM(고대역폭메모리)에 대한 기대감도 높아지는 중입니다.
30일 업계에 따르면 이달 삼성전자는 10㎚(나노미터·10억분의 1m)급 6세대 D램 웨이퍼 성능 실험에서 50%를 뛰어넘는 수율을 달성했어요.
웨이퍼 한장으로 1000개 이상의 D램을 만드는데 이 가운데 절반 이상의 D램 칩이 기준을 통과했다는 얘기입니다.