금융

차세대 신소재 반도체 … 내년부터 생산 본격화
2023년 10대 기술 산업 트렌드 전망. 트렌드포스 제공


미세공정의 한계를 극복하기 위한 차세대 반도체 소재인 탄화규소(SiC·실리콘 카바이드)와 질화갈륨(GaN) 등이 내년부터 본격적으로 성장할 것이라는 전망이 나온다. 16일 업계에 따르면 대만 시장정보업체 트렌드포스는 최근 '2023년 10대 기술 산업 트렌드'를 발표하고 이 중 하나로 3세대 반도체의 부상을 꼽았다.

향후 전자기기 수요 확대와 전력소비 증가가 예상되면서 기존 실리콘(Si) 소재보다 전력 효율과 내구성이 높은 SiC, GaN 등 신소재 기반의 차세대 전력 반도체가 필요하다는 분석이 나온다.

트렌드포스는 2026년까지 5년간 SiC와 GaN을 활용한 전력 기기 시장의 연평균 성장률이 각각 35%, 61%에 이를 것으로 전망했다.트렌드포스는 "800V 전기차, 고전압 충전, 고효율 그린 데이터센터 등의 급부상으로 SiC와 GaN 부품은 가파른 성장 단계에 접어들었다"며 "2023년을 앞두고 더 많은 자동차 업체가 메인 인버터에 SiC 기술을 도입할 것"이라고 예상했다.

이어 "GaN은 고출력 에너지 저장장치, 데이터센터 등으로 활용 분야가 넓어지고 있다"며 "삼성전자는 올해 첫 GaN 45W 초고속 충전기를 출시하며 시장 열기를 끌어올렸다"고 덧붙였다.

아울러 트렌드포스는 파운드리(반도체 위탁생산) 공정에서 반도체 트랜지스터 구조 기술이 전환기를 맞을 것으로 예상했다. 반도체를 구성하는 주요 소자인 트랜지스터 공정 기술은 평면 구조에서 3차원 구조의 핀펫(FinFET) 방식으로 발전했으며, 최근 EUV(극자외선) 기술 도입 이후 3나노(㎚) 노드에서 다시 한계에 직면했다는 게 트렌드포스 측의 설명이다.

트렌드포스는 "TSMC는 내년 상반기 공식 출시될 3나노 제품에 핀펫 구조를 계속 활용할 것"이라며 "삼성은 3나노부터 GAAFET 기반의 MBCFET 방식을 도입하기 시작했으며, 내년부터 대량 생산을 시작할 것으로 보인다"고 관측했다.전혜인기자 hye@dt.co.kr



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